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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      700

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      850

      最大漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

      5

      驱动电压(V)：

      10

      通道极性（xìng）：

      N沟道

      封装（zhuāng）/温度(℃)：

      DPAK-3/-55~125

      描（miáo）述：

      650V,850mΩ,5A,N沟道（dào）基于超（chāo）级结技术的功（gōng）率MOSFET


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